HP e Hynix juntam-se para desenvolver novo tipo de memória

Memristor poderá vir a substituir as memórias flash e as CPUs

A Hewlett-Packard anunciou uma parceria com a Hynix Semiconductor para o desenvolvimento do memristor, um novo elemento de circuito demonstrado pela primeira vez pelos HP Labs e a incluir em futuros produtos de memória. As duas empresas dizem que ao longo dos próximos três anos irão desenvolver em conjunto os materiais e tecnologia de integração de processos necessários para elevar a tecnologia memristor à fase de desenvolvimento comercial, altura em que será baptizada de “Resistive Random Access Memory” (ReRAM). A Hynix será responsável pelo fabrico da tecnologia.
Esta tecnologia memristor, fusão dos termos “memory” (memória) e “resistor” (resistência), consiste basicamente nisto mesmo: uma resistência com memória.
No início deste ano, a HP anunciou que o memristor teria, ainda, capacidades de processar funções lógicas. Com essa capacidade, a tecnologia poderá actuar como processador e como unidade de armazenamento, tendo o potencial para um dia substituir os dispositivos de armazenamento em massa e as unidades de processamento central (CPU).
Sendo uma forma de memória não volátil, a ReRAM pode vir a substituir ainda a memória flash NAND usada nos telemóveis e nos leitores de MP3. Pode, ainda, ser usada como meio de armazenamento em massa na forma de tecnologia DRAM ou SSD (solid state drive).




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