Os chips do protótipo são vistos como equivalentes à memória flash e, talvez, também à DRAM (RAM dinâmica). Ao contrário da DRAM, a memória não volátil, como a flash, pode armazenar memória quando a alimentação de um dispositivo é desligada. Mas os chips de memória flash gravam e lêem dados mais lentamente que o DRAM, têm menos capacidade e são bastante mais caros.

A tecnologia PRAM é baseada em vidro chalcogenide, o qual pode ser alterado usando o calor gerado por uma corrente eléctrica. O calor transforma a estrutura física do vidro em estado cristalino ou uniforme. Cada um destes estados tem uma resistência eléctrica distinta, a qual é usada para representar os uns ou os zeros, necessários para representar os dados armazenados em termos binários.

As características da PRAM ajustam-se para oferecer maior velocidade leitura/escrita e maior durabilidade do que a memória flash, a qual funciona ao prender electrões numa memória de núcleo. A Intel e as outras companhias estão a contar com a tecnologia PRAM para substituir as memórias flash NOR e NAND, gerando a aplicação requerida para produzir novos chips de memória em volume, com preços mais baixos.